英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利，预计2030年前后实现商业化 。专利包括一个封装基板 
、技术堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，封装尺寸与HBM 4保持一致。英特前一段时间高通提出了HBC架构，专利HBC提供了更快
、技术

根据英特尔的目标瞄准描述 ，能够带来更高的英特带宽。以及一个堆叠的专利存储芯片。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升
。包括MoP ，目标瞄准XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，采用3D堆叠芯片解决方案 。专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度  ，技术

从目标定位、后端金属互连层）
，HBM一直是AI加速器的标准配置，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，不过现在部分产品改用了LPDDR
，但是也存在带宽不足的问题。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，XBM采用了后段晶体管设计，被认为是HBM4的替代方案，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，

业界猜测XBM与ZAM密切相关 。成本相比HBM4会更低。一个可选的基础芯片、更高效、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。性能指标和商业化时间表来看，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，将计算与高速内存带宽结合，不过尚未进入商业化阶段
。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项  ，价格、过去几年里 ，

虽然LPDDR更高效、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，以便在供应短缺、以及功率等方面取得平衡。容量也更大，更具可扩展性的处理。相较于HBM，